武汉芯必达微电子申请可调前沿消隐时间产生电路专利，实现精确的前沿消隐延时调节
创始人
2025-12-02 00:35:18
0次
国家知识产权局信息显示，武汉芯必达微电子有限公司申请一项名为“一种可调前沿消隐时间产生电路”的专利，公开号CN121036731A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本发明公开一种可调前沿消隐时间产生电路，由运算放大器和第一NMOS管构成源跟随器，且在所述运算放大器的负端与第一NMOS管的源极相连处连接一外部电阻，使运算放大器正端的参考电压跟随到外接电阻上；所述外接电阻上产生的电流经由电流镜镜像后流经电容，所述电容连接在第二NMOS管漏极与源极之间且其中一端与比较器的正端相连，所述比较器的负端连接参考电压；所述第二NMOS管的栅极连接外接MOS管栅极驱动信号，以控制镜像电流对电容充放电，在电容电压超过外接电阻上的电压时，比较器输出匹配外接MOS管有效导通上升时间的延时，结合固定延时进一步输出前沿消隐时间。本发明通过调节外部电阻，实现精确的前沿消隐延时调节。
天眼查资料显示，武汉芯必达微电子有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1424.4407万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉芯必达微电子有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息53条，此外企业还拥有行政许可1个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
相关内容
热门资讯
智能电位采集仪（108*4*2...
一、产品规格与结构 尺寸与材质 尺寸：直径108mm，壁厚4mm，长度2000mm（高度可定制），兼...
苏州中科科仪取得磁悬浮分子泵径...
国家知识产权局信息显示，苏州中科科仪技术发展有限公司取得一项名为“磁悬浮分子泵径向传感器同心度检测工...
美的申请逆变电路的控制方法、逆...
国家知识产权局信息显示，美的集团（上海）有限公司、美的集团股份有限公司申请一项名为“逆变电路的控制方...
联合光电取得成像装置专利
国家知识产权局信息显示，中山联合光电科技股份有限公司取得一项名为“成像装置”的专利，授权公告号CN1...
Tektronix泰克 DPO...
泰克Tektronix DPO72004C 混合信号示波器 MSO/DPO70000 是同类产品中较...
嵌入式广播音响，源头厂靠谱不？
嵌入式广播音响源头厂技术可靠性分析——以航天广电为例 一、行业痛点分析 当前嵌入式广播音响领域存在...
东詹全休战里夫斯36+8 湖人...
【搜狐体育战报】北京时间12月6日，2025-26赛季NBA常规赛继续进行，洛杉矶湖人背靠背客场挑战...
原创 普...
最近，俄罗斯总统普京与美国特使之间的会谈便是这样一个引人注目的事件。这场持续近五小时的磋商，到底暗藏...
奇瑞汽车申请基于多传感器协同的...
国家知识产权局信息显示，奇瑞汽车股份有限公司申请一项名为“基于多传感器协同的车载制氧与空气净化控制方...
国网上海电力取得基于电路分析的...
国家知识产权局信息显示，国网上海市电力公司取得一项名为“一种基于电路分析的光伏电网故障识别方法及系统...