武汉芯必达微电子申请可调前沿消隐时间产生电路专利，实现精确的前沿消隐延时调节
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2025-12-02 00:35:18
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国家知识产权局信息显示，武汉芯必达微电子有限公司申请一项名为“一种可调前沿消隐时间产生电路”的专利，公开号CN121036731A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本发明公开一种可调前沿消隐时间产生电路，由运算放大器和第一NMOS管构成源跟随器，且在所述运算放大器的负端与第一NMOS管的源极相连处连接一外部电阻，使运算放大器正端的参考电压跟随到外接电阻上；所述外接电阻上产生的电流经由电流镜镜像后流经电容，所述电容连接在第二NMOS管漏极与源极之间且其中一端与比较器的正端相连，所述比较器的负端连接参考电压；所述第二NMOS管的栅极连接外接MOS管栅极驱动信号，以控制镜像电流对电容充放电，在电容电压超过外接电阻上的电压时，比较器输出匹配外接MOS管有效导通上升时间的延时，结合固定延时进一步输出前沿消隐时间。本发明通过调节外部电阻，实现精确的前沿消隐延时调节。
天眼查资料显示，武汉芯必达微电子有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1424.4407万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉芯必达微电子有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息53条，此外企业还拥有行政许可1个。
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来源：市场资讯
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