华为 复旦申请一种半导体器件及其制备方法专利，得到具有较低工作电压和功耗的反相器
创始人
2025-06-28 11:09:42
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金融界2025年6月28日消息，国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司;复旦大学申请一项名为“一种半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN120224777A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件及其制备方法，其中，该半导体器件包括：衬底；有源层，设置于该衬底上，该有源层包括第一沟道部和第二沟道部；栅极，设置于该衬底上，且包括第一栅极和第二栅极，该第一栅极和该第二栅极在该衬底上的垂直投影，分别与该第一沟道部、该第二沟道部在该衬底上的垂直投影重叠；第一肖特基电极，设置于该衬底上，且与该有源层相接触，其中，该第一肖特基电极与该有源层之间形成第一肖特基结，且该有源层中形成该第一肖特基结的部分，与该第一沟道部的掺杂类型相同。实施本申请实施例可以得到具有较低的工作电压和功耗，以及具有较大的电压增益和逻辑摆幅的反相器。
来源：金融界
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