华为 复旦申请一种半导体器件及其制备方法专利,得到具有较低工作电压和功耗的反相器
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2025-06-28 11:09:42
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金融界2025年6月28日消息,国家知识产权局信息显示,华为技术有限公司;复旦大学申请一项名为“一种半导体器件及其制备方法”的专利,公开号CN120224777A,申请日期为2023年12月。

专利摘要显示,本申请提供一种半导体器件及其制备方法,其中,该半导体器件包括:衬底;有源层,设置于该衬底上,该有源层包括第一沟道部和第二沟道部;栅极,设置于该衬底上,且包括第一栅极和第二栅极,该第一栅极和该第二栅极在该衬底上的垂直投影,分别与该第一沟道部、该第二沟道部在该衬底上的垂直投影重叠;第一肖特基电极,设置于该衬底上,且与该有源层相接触,其中,该第一肖特基电极与该有源层之间形成第一肖特基结,且该有源层中形成该第一肖特基结的部分,与该第一沟道部的掺杂类型相同。实施本申请实施例可以得到具有较低的工作电压和功耗,以及具有较大的电压增益和逻辑摆幅的反相器。

来源:金融界

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