中芯国际申请封装结构及封装方法专利，降低第一芯片与导电凸块之间的连线电阻_电池技术

中芯国际申请封装结构及封装方法专利，降低第一芯片与导电凸块之间的连线电阻

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2025-12-06 16:07:17

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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“封装结构及封装方法”的专利，公开号CN121076035A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，一种封装结构及封装方法，方法包括：第一晶圆的芯片区包括第一衬底以及第一衬底上的第一介质层，第一介质层中形成有互连通孔结构；在第一介质层的顶部形成第二介质层以及位于第二介质层中的电路互连结构，第二介质层与第一介质层之间具有第二刻蚀选择比；去除第一衬底；对第一晶圆进行切割处理，将每个芯片区中的剩余第一晶圆、第二介质层、以及电路互连结构作为第一芯片；提供第二晶圆，第二晶圆包括第二衬底以及凸立于第二衬底上的第一导电柱；将第一芯片键合于第一导电柱侧部的第二衬底上；去除第二衬底、第一介质层以及位于第一介质层中的互连通孔结构。降低了第一芯片与导电凸块之间的连线电阻以及降低了第一芯片发生翘曲的概率。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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