长鑫科技申请半导体结构及其形成方法专利，有利于改善半导体结构的电学性能
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2025-06-28 17:09:18
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金融界2025年6月28日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120224676A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：多个阵列排布的垂直晶体管，垂直晶体管包括沿第一方向依次分布的第一掺杂区、沟道区以及第二掺杂区；多条沿第二方向延伸的位线，每条位线位于沿第二方向排布的多个第一掺杂区远离沟道区的一侧，且位线与第一掺杂区电连接；多条沿第三方向延伸的字线，每条字线环绕沿第三方向排布的多个沟道区，字线包括中间部和与中间部对应电连接的延伸部，沿第三方向上，中间部位于相邻的沟道区之间，延伸部至少位于相邻的第一掺杂区之间。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息229条，专利信息431条，此外企业还拥有行政许可33个。
来源：金融界
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