甬矽半导体申请高密度衬底封装结构及其制备方法专利，减缓对结构芯片传输效率的影响
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2026-01-02 12:08:34
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国家知识产权局信息显示，甬矽半导体（宁波）有限公司申请一项名为“高密度衬底封装结构及其制备方法”的专利，公开号CN121237741A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明提供了一种高密度衬底封装结构及其制备方法，涉及芯片封装技术领域，该封装结构包括多个无源器件、伪芯片框、第一导电层、保护介质层、结构芯片、塑封层和第一布线组合层，伪芯片框覆盖在多个无源器件上；第一导电层同时电连接于多个无源器件；保护介质层位于伪芯片框和多个无源器件的正面。结构芯片贴装在保护介质层上，且结构芯片与第一导电层电连接；塑封层形成于保护介质层上；第一布线组合层形成于塑封层上。相较于现有技术，本发明利用伪芯片框有效保护无源器件，避免无源器件受模流冲击而导致偏移或掉落。同时，实现了结构芯片和多个无源器件的错层放置，从而减缓对结构芯片传输效率的影响，保证芯片性能。
天眼查资料显示，甬矽半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本400000万人民币。通过天眼查大数据分析，甬矽半导体（宁波）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目35次，专利信息239条，此外企业还拥有行政许可19个。
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来源：市场资讯
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