中博芯半导体申请高质量氮化物外延薄膜制备方法专利，进一步提升氮化物外延薄膜的晶体质量
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2026-01-03 09:08:09
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国家知识产权局信息显示，北京中博芯半导体科技有限公司申请一项名为“一种高质量氮化物外延薄膜及其制备方法”的专利，公开号CN121250542A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本申请涉及一种高质量氮化物外延薄膜及其制备方法，属于半导体技术领域。该氮化物外延薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤1、提供衬底；步骤2、在衬底上制备图形结构；步骤3、在图形结构上生长第一氮化物层；步骤4、在第一氮化物层上生长第二氮化物层，并在生长过程中通入掺杂剂，得到氮化物外延薄膜。该制备方法通过加入其他元素调控图形衬底上氮化物半导体材料的合拢过程，减少图形衬底上合拢过程中的位错增殖现象，进一步提升氮化物外延薄膜的晶体质量。
天眼查资料显示，北京中博芯半导体科技有限公司，成立于2020年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本13090.44万人民币。通过天眼查大数据分析，北京中博芯半导体科技有限公司参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息43条，此外企业还拥有行政许可5个。
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来源：市场资讯
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