强一半导体申请用于MEMS探针退火的夹具及方法专利，解决高温退火中金属结构形变问题_电池技术

强一半导体申请用于MEMS探针退火的夹具及方法专利，解决高温退火中金属结构形变问题

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2026-01-08 23:08:19

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国家知识产权局信息显示，强一半导体（苏州）股份有限公司申请一项名为“一种用于MEMS探针退火的夹具以及MEMS探针的退火方法”的专利，公开号CN121272168A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明涉及一种用于MEMS探针退火的夹具以及MEMS探针的退火方法，包括第一晶圆，其一侧表面设有第一PI层，第一PI层上开设有第一凹槽；第二晶圆，其一侧表面设有第二PI层，第二PI层上开设有与第一凹槽相对的第二凹槽；第一晶圆和第二晶圆的PI层相对设置，并且第一凹槽与第二凹槽合模形成与待退火的MEMS探针外形吻合的容腔。本发明通过利用聚酰亚胺形成夹具，解决了高温退火中金属结构形变问题，同时能够适配多种复杂结构，完美贴合探针，无需单独制作高精度夹具，降低制作成本。

天眼查资料显示，强一半导体（苏州）股份有限公司，成立于2015年，位于苏州市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本9716.9418万人民币。通过天眼查大数据分析，强一半导体（苏州）股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目54次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息278条，此外企业还拥有行政许可20个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法高温投资夹具探针导体形变专利苏州半导体晶圆凹槽

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