北京知识产权运营管理有限公司和北京大学申请半导体结构及其制作方法专利，优化元件连接与空间利用
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2026-01-10 09:08:49
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国家知识产权局信息显示，北京知识产权运营管理有限公司和北京大学申请一项名为“半导体结构及其制作方法”的专利，公开号CN121310646A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包括晶体管、第一导电线和第一源漏接触结构；晶体管包括栅极结构以及位于栅极结构两侧的源漏结构；第一导电线位于晶体管沿第一方向相对两侧中的第一侧；第一源漏接触结构包括沿第一方向堆叠的第一导电部和第二导电部；其中，所述第一导电部和所述源漏结构自对准接触，所述第二导电部分别连接所述第一导电部和所述第一导电线；第二导电部在第二方向上的尺寸小于第一导电部在第二方向上的尺寸，第二导电部在第三方向上的尺寸大于第一导电部在第三方向上的尺寸；第三方向和第二方向相交且均与第一方向垂直。
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来源：市场资讯
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