昕原半导体申请选通器制造方法专利，提高选通器工艺可靠性
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2026-01-12 20:08:59
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国家知识产权局信息显示，昕原半导体（上海）有限公司申请一项名为“选通器的制造方法和选通器”的专利，公开号CN121310841A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明公开了一种选通器的制造方法和选通器，选通器的制造方法包括：对污染金属层进行晶边刻蚀，以在污染金属层第一方向的一侧形成第一刻蚀斜面；在污染金属层上沉积金属硬掩模层，其中，金属硬掩模层至少覆盖污染金属层的上侧和第一刻蚀斜面；在金属硬掩模层上沉积第二电极层；在第二电极层上设置遮挡件；通过刻蚀工艺将第二电极层、金属硬掩模层和污染金属层中不与遮挡件相对应的部分刻蚀去除。由此，通过在对污染金属层进行晶边刻蚀后，在污染金属层上沉积金属硬掩模层，再在金属硬掩模层上沉积第二电极层，这样可以在晶边刻蚀后防止污染金属层暴露影响选通器的后序工艺，从而可以提高选通器的工艺可靠性。
天眼查资料显示，昕原半导体（上海）有限公司，成立于2019年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本5029.7258万人民币。通过天眼查大数据分析，昕原半导体（上海）有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息140条，此外企业还拥有行政许可3个。
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来源：市场资讯
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