日月新半导体申请扇出型封装结构及制作方法专利,实现高密度与晶片埋入式设置
创始人
2026-01-15 23:07:29
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国家知识产权局信息显示,日月新半导体(昆山)有限公司申请一项名为“一种扇出型封装结构及制作方法”的专利,公开号CN121335589A,申请日期为2025年9月。

专利摘要显示,本发明公开了一种扇出型封装结构及制作方法,包括步骤一:准备载板(1),所述载板(1)上方两端植有铜针(4),所述载板(1)中部贴装晶片一(2),在贴装前所述晶片一(2)上方预先开槽;步骤二:在晶片一(2)上方槽中贴装晶片二(3)。本发明属于半导体封装领域,具体是指一种扇出型封装结构及制作方法;本发明在晶片背面埋入另外一颗或多颗晶粒,在重新做电路层布线的扇出型结构,实现高密度与晶片埋入式设置。

天眼查资料显示,日月新半导体(昆山)有限公司,成立于2004年,位于苏州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本26800万美元。通过天眼查大数据分析,日月新半导体(昆山)有限公司共对外投资了2家企业,参与招投标项目25次,专利信息169条,此外企业还拥有行政许可36个。

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来源:市场资讯

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