长江存储申请半导体结构及其制造方法、存储器系统专利，提供一种半导体结构及其制造方法、存储器系统_电池技术

长江存储申请半导体结构及其制造方法、存储器系统专利，提供一种半导体结构及其制造方法、存储器系统

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2026-01-19 11:37:53

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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法、存储器系统”的专利，公开号CN121357890A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法、存储器系统。该半导体结构包括：第一堆叠结构、第二堆叠结构、半导体层、第一阶梯结构、第二阶梯结构以及连接结构。其中，第二堆叠结构位于第一堆叠结构的一侧。半导体层位于第一堆叠结构与第二堆叠结构之间。第一阶梯结构位于第一堆叠结构中，并包括沿周向方向分布的多个第一台阶结构。第二阶梯结构位于第二堆叠结构中，并包括沿周向方向分布的多个第二台阶结构。连接结构沿第一堆叠结构和第二堆叠结构的堆叠方向延伸，并与一个第一台阶结构和一个第二台阶结构连接。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1441次，财产线索方面有商标信息974条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可995个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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