中芯国际申请集成电路标准单元结构及制备方法专利，提升器件响应速度_电池技术

中芯国际申请集成电路标准单元结构及制备方法专利，提升器件响应速度

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2026-01-20 22:42:56

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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“一种集成电路的标准单元结构及制备方法”的专利，公开号CN121357998A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本申请公开了一种集成电路的标准单元结构及制备方法，包括位于衬底的PPNN区域，所述PPNN区域包括PP区和NN区；所述PP区和所述NN区中包括多个沿第一方向延伸的第一鳍片，所述PP区和所述NN区中的至少之一包括多个沿第一方向延伸的第二鳍片，所述第一鳍片和所述第二鳍片沿第二方向间隔排布；所述第二鳍片包括第一鳍结构和第二鳍结构，且具有间隔所述第一鳍结构和所述第二鳍结构的间隔槽。本申请在PPNN区域中增设多个第二鳍片，以增加PPNN区域内的鳍片数量，进而增大饱和漏极电流，提升器件响应速度，相比于传统标准单元结构，器件性能得到了3％及以上的性能提升。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目129次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法显示投资中芯国际标准单元集成电路包括结构专利鳍片 PP区中芯 NN区

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