西安龙威半导体申请改善超结功率器件IGSS失效方法专利，大幅提升量产良率_电池技术

西安龙威半导体申请改善超结功率器件IGSS失效方法专利，大幅提升量产良率

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2026-01-22 11:09:40

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国家知识产权局信息显示，西安龙威半导体有限公司申请一项名为“一种改善超结功率器件IGSS失效的方法”的专利，公开号CN121368166A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明提供一种改善超结功率器件IGSS失效的方法，涉及功率器件超结良率提升技术领域。包括：根据晶圆测试或晶圆接受测试结果，确认失效区域的失效参数为IGSS；对IGSS确定出多个失效原因；根据第一失效原因，确定对应的多个制定化方案，并执行多个制定化方案，以确定出对应的多个执行结果；根据单元区的硅钉，确定失效的形貌与预设刻蚀工艺产生的黑硅分布具有关联性；在具有关联性时获取最优的刻蚀工艺配方，并根据最优的刻蚀工艺配方优化失效的形貌的底部；通过调整气体配比，在预设范围的角度形貌内获得圆滑且无硅钉的最优形貌，并确定最优形貌的EAS能力极限窗口。这样，使得改善IGSS 1V失效，大幅提升量产良率。

天眼查资料显示，西安龙威半导体有限公司，成立于2018年，位于西安市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本66068.167985万人民币。通过天眼查大数据分析，西安龙威半导体有限公司参与招投标项目22次，专利信息21条，此外企业还拥有行政许可24个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

大幅提升方法显示功率投资器件形貌龙威导体专利硅钉

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