长鑫芯瑞申请半导体结构及其制造方法专利，通过第一纳米片与多个第一电容结构电连接
创始人
2026-01-23 12:10:27
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国家知识产权局信息显示，长鑫芯瑞存储技术（北京）有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN121368118A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，其中，半导体结构包括：衬底以及位于衬底上的至少一个电容器，电容器包括：多个第一纳米片，沿第一方向延伸，并沿第二方向和第三方向呈阵列排布；其中，第一方向和第二方向相交并与衬底的表面平行，第三方向垂直于衬底的表面；多个第一电容结构，沿第一方向分别位于第一纳米片的两侧并与第一纳米片电连接；导电结构，分别沿第二方向和第三方向贯穿多个第一纳米片，并通过第一纳米片与多个第一电容结构电连接。
天眼查资料显示，长鑫芯瑞存储技术（北京）有限公司，成立于2024年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫芯瑞存储技术（北京）有限公司专利信息23条，此外企业还拥有行政许可1个。
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