力晶积成申请半导体结构及其制造方法专利，电容器在基底的法线方向上与光电二极管至少部分地重叠
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2026-01-29 15:41:06
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国家知识产权局信息显示，力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN121419355A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包括基底、光电二极管、层间介电层以及电容器。基底包括第一表面以及与第一表面相对的第二表面。光电二极管设置于基底中。层间介电层设置于基底的第一表面上且覆盖光电二极管，其中层间介电层包括沟槽。电容器设置于层间介电层上，其中一部分的电容器设置于沟槽中，且电容器在基底的法线方向上与光电二极管至少部分地重叠。
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