中山德华芯片技术申请具备静电导通路径的聚光组件结构专利，防止静电电荷积累引发的潜在风险_电池技术

中山德华芯片技术申请具备静电导通路径的聚光组件结构专利，防止静电电荷积累引发的潜在风险

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2026-01-29 17:11:58

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国家知识产权局信息显示，中山德华芯片技术有限公司申请一项名为“一种具备静电导通路径的聚光组件结构及其制备方法”的专利，公开号CN121419393A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种具备静电导通路径的聚光组件结构及其制备方法，该聚光组件结构包括聚光电池、基板、光漏斗、第一垫块、第二垫块以及聚光罩；聚光电池安装在基板的上方，第一垫块及第二垫块分别设置在聚光电池的两侧，第一垫块开设有静电导通孔，光漏斗的小端口围绕聚光电池安装并与聚光电池中心对正，光漏斗与基板、第一垫块及第二垫块形成连接，形成分层支撑结构；光漏斗与第一垫块的接脚处对应设置有同轴的静电导通孔，光漏斗与第一垫块的静电导通孔连通，形成静电导通路径；本发明确保光漏斗与聚光罩之间形成可靠的静电导通路径，从根本上避免光漏斗在复杂的空间环境中成为孤立导体，进而防止静电电荷积累引发的潜在风险。

天眼查资料显示，中山德华芯片技术有限公司，成立于2015年，位于中山市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本9790.416万人民币。通过天眼查大数据分析，中山德华芯片技术有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息188条，此外企业还拥有行政许可36个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业投资漏斗垫块通路德华电荷组件静电专利聚光电池导通孔

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