苏州能讯申请半导体器件制备方法专利,减小半导体器件的寄生电容
创始人
2025-07-04 11:38:48
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金融界2025年7月4日消息,国家知识产权局信息显示,苏州能讯高能半导体有限公司申请一项名为“一种半导体器件的制备方法”的专利,公开号CN120261278A,申请日期为2023年12月。

专利摘要显示,本发明公开了一种半导体器件的制备方法,半导体器件包括栅极,制备方法包括在半导体衬底的一侧依次形成第一光刻胶、第一金属层、第二光刻胶以及第二金属层,第一金属层通过第一光刻胶中的第一开口与半导体衬底接触,第二金属层中的第一金属分部与第一金属层接触且与第一光刻胶投影交叠,依次去除第二光刻胶、第一金属层中未与第一金属分部接触的部分以及第一光刻胶,保留第一金属分部以及第一金属层中与第一金属分部接触的部分,以形成栅极。

天眼查资料显示,苏州能讯高能半导体有限公司,成立于2011年,位于苏州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本40284.5万人民币。通过天眼查大数据分析,苏州能讯高能半导体有限公司共对外投资了10家企业,参与招投标项目14次,财产线索方面有商标信息22条,专利信息316条,此外企业还拥有行政许可15个。

来源:金融界

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