南智光电申请超表面制造电子束曝光写场拼接动态优化方法专利，提升电子束曝光整体效率_电池技术

南智光电申请超表面制造电子束曝光写场拼接动态优化方法专利，提升电子束曝光整体效率

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2026-01-31 15:14:53

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国家知识产权局信息显示，南京南智先进光电集成技术研究院有限公司申请一项名为“一种面向超表面制造的电子束曝光写场拼接动态优化方法”的专利，公开号CN121432814A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种面向超表面制造的电子束曝光写场拼接动态优化方法，首先提取版图中的关键图形与低密度区域，生成密度分布图；然后结合设备参数，生成多种候选写场分割方案及其拼接缝，并为每条缝构建融合图形切割代价、工艺误差风险和移动效率的损失函数；通过优化算法求解总损失最小的方案，得到最优写场坐标、重叠参数与安全缝合区标识，最终指导电子束曝光设备执行拼接曝光；本发明通过根据超表面图形特征动态优化写场布局与拼接参数，有效解决了传统固定拼接方式中拼接缝切割关键图形及效率低下的问题，从而在提升电子束曝光整体效率的同时，确保了超表面器件制造的高精度。

天眼查资料显示，南京南智先进光电集成技术研究院有限公司，成立于2018年，位于南京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1310.6316万人民币。通过天眼查大数据分析，南京南智先进光电集成技术研究院有限公司共对外投资了14家企业，参与招投标项目36次，财产线索方面有商标信息17条，专利信息114条，此外企业还拥有行政许可8个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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