中芯国际申请半导体结构的形成方法专利，提升产品的良率
金融界2025年7月4日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN120261287A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底内形成硅层；在所述硅层上形成金属层；对所述金属层和所述硅层进行第一热处理，以形成初始金属硅化物层；采用第一酸洗处理去除剩余的所述金属层；在所述第一酸洗处理之后，对所述初始金属硅化物层进行第二酸洗处理，去除在形成所述初始金属硅化物层的过程中产生的副产物；在所述第二酸洗处理之后，对所述初始金属硅化物层进行第二热处理，以形成金属硅化物层。通过从工艺流程入手，不人为干预无法预期的环境指标，无论空气过滤器处于何种过滤效率的条件下都能做到良好的金属硅化物的生长，改变了当前金属硅化物工艺对杂质污染敏感又对复杂的环境来源无从预防的现状，并以此提升产品的良率。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目52次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可226个。
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可442个。
来源：金融界