维易科仪器申请钌薄膜的离子束沉积专利，形成低电阻率钌(Ru)薄膜
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2025-07-04 19:38:28
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金融界2025年7月4日消息，国家知识产权局信息显示，维易科仪器有限公司申请一项名为“钌薄膜的离子束沉积”的专利，公开号CN120265822A，申请日期为2023年09月。
专利摘要显示，形成低电阻率钌(Ru)薄膜的方法，包括：在具有反应气体种类和惰性气体种类的工艺腔室中，通过具有辅助离子束沉积将钌沉积到基板上。基板的温度至少为250℃。所获得的钌薄膜的厚度不超过30nm，电阻率小于12μΩ·cm，结晶结构包括具有(0001)取向的晶粒。不同厚度下电阻率不同，例如50nm以上的膜的电阻率小于9μΩ·cm，35nm以上的膜的电阻率小于9.5μΩ·cm，20nm以上的膜的电阻率小于11μΩ·cm，10nm以上的膜的电阻率小于15μΩ·cm，2nm以上的膜的电阻率小于20μΩ·cm。晶粒的平均晶体尺寸至少是膜厚度的三倍。
来源：金融界
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