虽然最近一年多以来，DRAM芯片火爆，DDR4、DDR5等内存更是涨个不停，翻倍又翻倍的涨。但实际上，真正最为赚钱，核心技术门槛更高的还是HBM芯片。

HBM芯片属于DRAM一种，但是比DDR内存更高级，它是DDR内存的堆叠版，这要性能更强，密度更高，带宽更大，时延更低，也是AI芯片必不可少的。

目前全球的HBM内存，几乎被三星、SK海力士、美光垄断，SK海力士最强，三星次之，美光排在第三名。至于中国企业，在HBM这一块，确实落后不少。

所以不黑不吹，在HBM芯片领域，中国依然得依赖国外，这个也是事实。

但是近日，在HBM领域处于统治地位的韩国，却有专家认为，未来会有另外一种技术取代HBM，它就是HBF。

HBF与HBM只有一个字母的区别，但实际上区别非常大。

HBM是DRAM内存的一种，这种是用于读取密集型场景，当内存用的。而HBF则不一样，它是当储存数据的闪存用的，是NAND闪存一的种。

HBF是一种堆叠式的NAND闪存芯片，相比于现在的NAND，它是一种更为立体的结构。

对比HBM，HBF的速度约为HBM的80%-90%，容量却是其8-16倍，功耗降低40%，能以更低成本实现处理量扩展，被视为缓解HBM瓶颈的“中层内存”。

所以专家们认为，未来在AI以及数据中心中，HBM和HBF会组合在一起，甚至HBF的作用可能会更大，因为它容量大。

不过，一旦HBF流行起来，那么中国企业这次就不会这么落后了，因为中国企业早有布局。

前面提到过，HBF是多层堆叠式的NAND，所以HBF的核心，其实就是一种混合健合技术，将存储部分、数据读取部分，分开又健合在一起。

而中国企业长江存储，基于晶栈Xtacking，在混合健合技术方面，是全球最领先的，混合健合专利更是全球最多的企业之一，连三星、SK海力士等，都要找长江存储要专利授权。

所以一旦当HBF芯片流行起来，那么中国企业这次也能够走向时代的舞台，不会像HBM这样落后于全球的水平了。

因为HBF也是采用堆叠方式，基于混合健合技术，而长江存储的晶栈Xtacking，本来就是一种混合健合技术，长江存储有大量的专利积累，连三星、SK海力士等，都要找长江存储买专利的。