晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器”_电池技术

晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器”

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2025-07-05 03:19:17

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器”，专利申请号为CN202510195903.8，授权日为2025年7月4日。

专利摘要：本申请实施例提供了一种半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器，涉及半导体制造技术领域。该半导体结构包括：基底和形成于基底表面的光电功能层；光电功能层包括光电感应层和用于将光电感应层分隔为多个光电感应区的隔离结构；光电感应区包括多个层叠设置的光电感应材料层和沿光电感应层的法线方向延伸的跨层掺杂结构；跨层掺杂结构与光电感应层掺杂类型相同；其中，跨层掺杂结构通过离子注入工艺形成；以光电感应层的法线方向为离子注入的深度方向和光电感应材料层的厚度方向，沿光电感应层的法线方向，形成跨层掺杂结构的离子注入深度至少大于与基底距离最远的光电感应材料层的厚度。通过本申请实施例，提升了图像传感器的成像质量。

今年以来晶合集成新获得专利授权197个，较去年同期增加了13.22%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目627次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1136条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可21个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。

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