中芯国际申请存储器及其形成方法专利，提高了写入或者擦除的速度
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2025-07-05 12:08:42
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金融界2025年7月5日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“存储器及其形成方法”的专利，公开号CN120264762A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，一种存储器及其形成方法，存储器包括：衬底，衬底具有一个或多个凸起结构；浮栅结构，位于衬底上并覆盖凸起结构，浮栅结构包括依次堆叠的第一介质层和第一栅极层，第一介质层保形覆盖凸起结构的顶部和侧壁、以及凸起结构侧部的衬底；控制栅结构，位于浮栅结构上，控制栅结构包括依次堆叠的第二介质层和第二栅极层；源漏掺杂层，位于浮栅结构两侧的衬底中。本发明实施例提高了写入或者擦除的速度，相应提高了写入或者擦除的性能，而且写入时的电子隧穿路径与擦除时的电子隧穿路径不同，相应降低了第一介质层受到损伤的概率，从而有利于提高第一介质层的使用寿命，进而有利于提高存储器的性能。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可442个。
来源：金融界
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