中芯国际申请存储器及其形成方法专利，提高了写入或者擦除的速度_电池技术

中芯国际申请存储器及其形成方法专利，提高了写入或者擦除的速度

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2025-07-05 12:08:42

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金融界2025年7月5日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“存储器及其形成方法”的专利，公开号CN120264762A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，一种存储器及其形成方法，存储器包括：衬底，衬底具有一个或多个凸起结构；浮栅结构，位于衬底上并覆盖凸起结构，浮栅结构包括依次堆叠的第一介质层和第一栅极层，第一介质层保形覆盖凸起结构的顶部和侧壁、以及凸起结构侧部的衬底；控制栅结构，位于浮栅结构上，控制栅结构包括依次堆叠的第二介质层和第二栅极层；源漏掺杂层，位于浮栅结构两侧的衬底中。本发明实施例提高了写入或者擦除的速度，相应提高了写入或者擦除的性能，而且写入时的电子隧穿路径与擦除时的电子隧穿路径不同，相应降低了第一介质层受到损伤的概率，从而有利于提高第一介质层的使用寿命，进而有利于提高存储器的性能。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可442个。

来源：金融界

企业方法于浮栅栅极中芯国际介质提高了存储器结构专利衬底浮栅中芯介质层

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