晶湛半导体申请一种半导体结构及其制造方法专利，可实现高阈值电压的增强型器件
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2026-03-07 11:19:10
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国家知识产权局信息显示，苏州晶湛半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN121619919A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括依次层叠设置的衬底、N+型氮化镓外延层、N‑型氮化镓外延层以及第一AlGaN层；P型氮化镓外延层，由第一AlGaN层远离衬底一侧的表面延伸至N‑型氮化镓外延层中；第二AlGaN层，位于第一AlGaN层和P型氮化镓外延层远离衬底的一侧。本公开一方面通过栅极控制第二AlGaN层与P型氮化镓外延层形成的耗尽区，从而控制器件的开关，无需较大栅极电流以控制P型氮化镓外延层，可实现高阈值电压的增强型器件，另一方面通过设置N‑型氮化镓外延层和第一AlGaN层产生二维电子气，扩展电流传输范围，可降低器件导通电阻。
天眼查资料显示，苏州晶湛半导体有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8212.5556万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州晶湛半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目42次，财产线索方面有商标信息73条，专利信息330条，此外企业还拥有行政许可24个。
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来源：市场资讯
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