力晶积成电子申请具有低接触电阻的接触件结构及其制造方法专利，具有低接触电阻
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2026-03-07 14:23:02
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国家知识产权局信息显示，力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“具有低接触电阻的接触件结构及其制造方法”的专利，公开号CN121619925A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明公开一种具有低接触电阻的接触件结构及其制造方法，其中该具有低接触电阻的接触件结构包含一介电层位于一基底上、一接触孔形成在该介电层中并露出该基底、一N型或P型金属氧化物薄膜位于该接触孔的表面上、一阻障层位于该金属氧化物薄膜上、以及一接触插塞位于该阻障层上且填满该接触孔，其中邻近接触面的该基底中形成有二维电子气或二维空穴气。
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