堃方半导体取得半导体存储器器件结构专利，显著提升了散热效率_电池技术

堃方半导体取得半导体存储器器件结构专利，显著提升了散热效率

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2026-03-11 15:07:20

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国家知识产权局信息显示，泉州市堃方半导体有限公司取得一项名为“一种半导体存储器的器件结构”的专利，授权公告号CN223986424U，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本实用新型涉及半导体存储器技术领域，尤其涉及一种半导体存储器的器件结构，包括半导体存储器壳体，开设在半导体存储器壳体一侧的凹槽，滑动连接在凹槽内腔的遮挡板，所述凹槽内腔固定连接有散热板，所述散热板一侧设置有导热板。本实用新型通过设置集成了散热风机、导热板及卡接组件的可拆卸散热箱，散热板直接接触热源，热量经导热板快速传导至整个散热箱体，并由散热风机强制对流带走，显著提升了散热效率，保障了存储器在高温下的稳定运行，卡接组件设计，通过按压操作即可使两侧卡块同步脱离，从而能够将整个散热模块快速、安全地取下进行清洁或更换，极大简化了维护流程。

天眼查资料显示，泉州市堃方半导体有限公司，成立于2024年，位于泉州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，泉州市堃方半导体有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息3条，专利信息4条，此外企业还拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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