翰博显示申请次毫米发光二极管及其制备方法专利，对水氧具有强阻隔效果
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2026-03-17 15:58:03
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国家知识产权局信息显示，重庆翰博显示科技研发中心有限公司申请一项名为“一种次毫米发光二极管及其制备方法”的专利，公开号CN121665774A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明涉及Mini LED显示技术领域，具体涉及一种次毫米发光二极管及其制备方法，包括以下步骤：于覆盖有热解膜的基板上依次设置分布式布拉格反射镜、扩散层、量子点层及有机硅保护层；通过蓝膜将GaN芯片扩晶成特定的距离排列，并将GaN芯片与涂布有机硅保护层后的基板对位键合；在GaN芯片的沟道间填充白墙胶，并通过蚀刻将GaN芯片间的分割挡墙、有机硅保护层、量子点层、扩散层和DBR层刻蚀出沟道；在沟道侧壁表面通过ALD或PECVD的沉积‑氮化硅层，进而得到次毫米发光二极管，本发明通过采用无机‑有机材料复合交替的方式来实现量子点层的封装保护，对水氧具有强阻隔效果，保证了器件的高性能和高可靠性。
天眼查资料显示，重庆翰博显示科技研发中心有限公司，成立于2020年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆翰博显示科技研发中心有限公司专利信息113条，此外企业还拥有行政许可1个。
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