国家知识产权局信息显示,硅存储技术股份有限公司取得一项名为“具有鳍式场效应晶体管结构和HKMG存储器和逻辑栅的分裂栅非易失性存储器单元及其制备方法”的专利,授权公告号CN113169175B,申请日期为2019年8月。
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