国家知识产权局信息显示,铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体存储装置”的专利,公开号CN121712019A,申请日期为2025年2月。
专利摘要显示,实施方式提供能够恰当地构成阶梯构造的半导体存储装置。根据一个实施方式,提供一种具有层叠体、第一绝缘膜以及1个以上的第二绝缘膜的半导体存储装置。层叠体中,多个导电层隔着绝缘层被层叠。层叠体在平面视图中的长边方向的中央附近包含阶梯构造。第一绝缘膜在阶梯构造中的平台部处沿层叠方向在层叠体中延伸。1个以上的第二绝缘膜配置于在平面视图中将阶梯构造中的阶差部包含在内侧的区域。1个以上的第二绝缘膜沿层叠方向在层叠体中延伸。1个以上的第二绝缘膜的最小平面宽度比第一绝缘膜的最小平面宽度大、或者配置密度比第一绝缘膜的配置密度高。
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