国家知识产权局信息显示,铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法”的专利,公开号CN121712023A,申请日期为2025年3月。
专利摘要显示,本发明的课题在于提高存储单元的动作特性。本发明的实施方式涉及一种半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。实施方式的半导体存储装置具备逐层交替地积层有多个导电层与多个绝缘层的积层体、及沿积层体的积层方向在积层体内延伸的柱,柱具有沿积层方向在积层体内延伸的第1半导体层、及沿积层方向在积层体内延伸且包含比第1半导体层更多晶界的第2半导体层,且包含在第1半导体层与第2半导体层的界面处具有峰值浓度的添加物。
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