金誉半导体申请大电流直插式功率器件封装结构专利，提升散热效果
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2026-03-25 04:47:11
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国家知识产权局信息显示，深圳市金誉半导体股份有限公司申请一项名为“一种大电流直插式功率器件封装结构”的专利，公开号CN121729072A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明涉及功率器件封装结构技术领域，且公开了一种大电流直插式功率器件封装结构，包括下封装盒和上封装盒，所述上封装盒顶部的内壁安装有导热体，所述导热体的顶部固定连接有散热翅片，所述下封装盒的内壁设置有顶升机构，所述下封装盒的内壁设置有安装机构，所述下封装盒的内壁设置有防护机构，所述上封装盒顶部的内壁设置有更换机构，本发明使得基板上移且四周的力均衡，因此芯片和其他元件顶部涂抹的散热硅脂与导热体的底部接触并通过均匀的压力均匀的分散开，进而可以提升散热效果，并且通过上述方式还可以安装不同厚度的基板和芯片，提升装置的适用范围。
天眼查资料显示，深圳市金誉半导体股份有限公司，成立于2011年，位于深圳市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本9438.8571万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市金誉半导体股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息67条，专利信息116条，此外企业还拥有行政许可51个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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