湖北星辰技术申请半导体结构及其形成方法专利，形成多个微型发光二极管
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2026-03-27 02:17:01
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国家知识产权局信息显示，湖北星辰技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121728887A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：提供第一晶圆；提供多个外延芯片；将多个外延芯片的第二介质层与第一晶圆的第一介质层采用直接键合的方式键合；图案化第一电极层以及外延层，形成多个微型发光二极管；微型发光二极管包括依次堆叠的第一电极、外延结构以及第二电极；同一外延芯片中形成的多个微型发光二极管的第二电极相连构成第二电极层；形成穿过外延芯片并延伸至第一晶圆中的第一导电接触结构；第一导电接触结构的第一端与外围器件连接；在外延芯片上形成第一导电连接线；第一导电连接线与第一电极以及第一导电接触结构的第二端连接。
天眼查资料显示，湖北星辰技术有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本3680.3242万人民币。通过天眼查大数据分析，湖北星辰技术有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目84次，财产线索方面有商标信息17条，专利信息138条，此外企业还拥有行政许可28个。
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来源：市场资讯
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