扬杰电子取得三极管相关专利,该三极管可提频率、增益与电流密度
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2026-07-23 04:24:06
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来源:新浪证券-红岸工作室

7月22日消息,国家知识产权局信息显示,扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种提高工作频率和增益系数的三极管”的专利,授权公告号CN224538634U,授权公告日为2026年7月21日。申请号为CN202521832202.2,申请公布日期为2026年7月21日,申请日期为2025年8月27日,发明人代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅,专利代理机构扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙),专利代理师郭翔,分类号H10D10/40、H10D62/10、H10D64/23。

专利摘要显示,一种提高工作频率和增益系数的三极管。涉半导体技术领域。包括自下而上依次设置的集电极电极、外延片和第一隔离层;所述外延片上设有:第一重掺杂基区,设有若干,顶面与所述第一隔离层连接后,延伸至所述外延片内;相邻所述第一重掺杂基区顶部互联,底部相互间隔;第二重掺杂发射区,设有若干,分别从所述第一重掺杂基区的顶面向下延伸,位于相邻所述第一重掺杂基区顶部互联内部;基极电极,设有若干,分别从所述第一隔离层顶面向下延伸至第一重掺杂基区;发射极电极,设有若干,分别从所述第一隔离层顶面向下延伸,并与所述第二重掺杂发射区顶面连接。本实用新型提高三极管的工作频率和增益系数,同时提高器件电流密度。

扬杰科技是国内功率半导体分立器件领域领先企业,核心产品覆盖多类功率半导体器件,具备全产业链布局优势。公司成立于2006年8月2日,2014年1月23日于深圳证券交易所上市,注册地与办公地均位于江苏省扬州市。

扬杰科技主营业务集研发、生产、销售于一体,聚焦功率半导体硅片、芯片及器件制造、集成电路封装测试等中高端领域,申万行业分类隶属于电子-半导体-分立器件,同时布局汽车芯片、半导体等核心概念板块。

2025年,扬杰科技实现营业收入71.3亿元,在18家同行业可比企业中排名第3,仅次于*ST闻泰的312.53亿元与士兰微的130.52亿元,大幅高于行业39.84亿元的平均营收与13亿元的行业营收中位数。从主营业务构成来看,半导体器件业务贡献营收62.57亿元,占比87.75%;半导体芯片业务营收5.34亿元,占比7.49%;半导体硅片业务营收1.67亿元,占比2.35%;其余补充类业务营收1.72亿元,占比2.41%。盈利端,公司2025年实现净利润12.45亿元,位列18家同行业企业首位,远超第二名捷捷微电的4.76亿元,显著跑赢行业-3.38亿元的平均净利润水平与5933.85万元的行业净利润中位数,盈利表现领跑赛道。

业务板块 营收规模(亿元) 营收占比
半导体器件 62.57 87.75%
半导体芯片 5.34 7.49%
半导体硅片 1.67 2.35%
其他(补充) 1.72 2.41%

扬州扬杰电子科技股份有限公司近期专利情况如下:

序号 专利名称 专利类型 法律状态 申请号 申请日期 公开(公告)号 公开(公告)日期 发明人
1 一种提高短路耐受能力的碳化硅MOS器件及制备方法 发明专利 公布 CN202610748277.5 2026-05-28 CN122421408A 2026-07-17 王亚男、梁勤、梁瑶、陈润生、王毅
2 一种低寄生电感功率二极管及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610593818.1 2026-04-30 CN122340830A 2026-07-03 熊鹏程、徐雅超、周培培、赵振中、陈润生、王毅
3 一种低应力高导热光伏旁路导电组件、二极管及制备方法 发明专利 公布 CN202610585288.6 2026-04-29 CN122396337A 2026-07-14 柏广绪、司天平、景昌忠、陈润生、王毅
4 一种高功率密度三极管及制备方法 发明专利 公布 CN202610535598.7 2026-04-22 CN122395972A 2026-07-14 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅
5 一种应用于SIC MOS领域的封装框架、封装结构及散热装置 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610412210.4 2026-03-31 CN122138725A 2026-06-02 熊鹏程、徐雅超、杨程、陈润生、王毅
6 一种高功率密度TVS二极管及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610415630.8 2026-03-31 CN122269779A 2026-06-23 熊鹏程、徐雅超、赵振中、陈润生、王毅
7 一种Power DFN框架、封装体及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610286131.3 2026-03-10 CN121985840A 2026-05-05 熊鹏程、徐雅超、周德兴、赵振中、朱国伟、陈润生、王毅
8 一种三相半控整流桥复合封装及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511981365.1 2025-12-25 CN121604824A 2026-03-03 张帅、姚文康、王双、陈润生、王毅
9 一种应用于车规系统的大功率TVS及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511950595.1 2025-12-23 CN121729076A 2026-03-24 熊鹏程、徐雅超、周德兴、赵振中、朱国伟、陈润生、王毅
10 一种光伏旁路二极管模块加工工艺 发明专利 公布 CN202511930765.X 2025-12-19 CN121693132A 2026-03-17 司天平、景昌忠、陈润生、王毅
11 一种中低压MOS器件掺杂结构的腐蚀溶液及分析方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511911493.9 2025-12-17 CN121699615A 2026-03-20 李跃兵、王双、李长青、刘军、许愿、陈润生、王毅
12 一种分裂栅结构的IGBT器件及制备方法 发明专利 公布 CN202511407480.8 2025-09-29 CN120980899A 2025-11-18 龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅
13 一种高稳定性沟槽型IGBT器件及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511407472.3 2025-09-29 CN121152230A 2025-12-16 龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅
14 一种降低沟槽底部电场集中的IGBT器件及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511407464.9 2025-09-29 CN121240474A 2025-12-30 龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅
15 一种高功率密度三极管及制备方法 发明专利 发明专利申请公布后的视为撤回、实质审查的生效、公布 CN202511209188.5 2025-08-27 CN120857527A 2025-10-28 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅
16 一种高集电极电流三极管及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511207926.2 2025-08-27 CN120916450A 2025-11-07 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅
17 一种高EAS能力的三极管及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511208008.1 2025-08-27 CN120916452A 2025-11-07 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅
18 一种高频和高增益三极管及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511207991.5 2025-08-27 CN120916451A 2025-11-07 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅
19 一种高电流密度三极管及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511207877.2 2025-08-27 CN121057236A 2025-12-02 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅
20 一种提高工作频率和增益系数的三极管 实用新型 授权 CN202521832202.2 2025-08-27 CN224538634U 2026-07-21 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅
21 一种便捷式旁路保护器件的加工方法 发明专利 公布 CN202511154480.1 2025-08-18 CN121017690A 2025-11-28 李广源、梁欣源、陈润生、王毅
22 光伏旁路器件 实用新型 授权 CN202521754537.7 2025-08-18 CN224459747U 2026-07-03 李广源、梁欣源、陈润生、王毅
23 一种适用于光伏轴向二极管一贯机及其使用方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511145062.6 2025-08-15 CN121011539A 2025-11-25 徐超、司天平、陈润生、王毅
24 二极管擦字装置 实用新型 授权 CN202521740722.0 2025-08-15 CN224296845U 2026-05-29 徐超、司天平、陈润生、王毅
25 二极管上料装置 实用新型 授权 CN202521740725.4 2025-08-15 CN224449345U 2026-07-03 徐超、司天平、陈润生、王毅
26 二极管收料装置 实用新型 授权 CN202521740719.9 2025-08-15 CN224449543U 2026-07-03 徐超、司天平、陈润生、王毅
27 一种新型二极管金属线键合塑封一体机 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510879767.4 2025-06-27 CN120690730A 2025-09-23 耿印、王毅
28 一种半导体塑封模具异物检测机构及方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510842518.8 2025-06-23 CN120645350A 2025-09-16 刁卫斌、王毅
29 一种二极管外观检测装置及方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510826492.8 2025-06-19 CN120539278A 2025-08-26 耿印、王毅
30 一种抑制塑封分层的半包封框架及封装结构 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510793665.0 2025-06-13 CN120637356A 2025-09-12 代书雨、徐雅超、王玉林、张敏、王毅
31 一种抑制塑封分层的全包封框架及封装 实用新型 授权 CN202521215415.0 2025-06-13 CN224460572U 2026-07-03 代书雨、王玉林、张敏、王毅
32 提升绝缘耐压能力的整流桥堆 实用新型 授权 CN202521114013.1 2025-05-30 CN224205650U 2026-05-05 邱力宸、王毅
33 多引脚散热桥堆 实用新型 授权 CN202521104107.0 2025-05-30 CN224205649U 2026-05-05 姚文康、王双、吕强、王毅
34 一种高效组装散热型整流桥 实用新型 授权 CN202521104109.X 2025-05-30 CN224482060U 2026-07-10 王双、王毅
35 一种改进半导体器件饱和压降的制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510613311.3 2025-05-13 CN120417408A 2025-08-01 龚闯、赵晓非、张晓勇、杨成祎、姚旭、王毅
36 单轴划片机释放应力减少崩边崩角的划片方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510148616.1 2025-02-11 CN119704417A 2025-03-28 王鑫、王毅
37 一种FRED半导体器件及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510126905.1 2025-01-27 CN119947137A 2025-05-06 崔龙、王毅
38 一种横向IGBT及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411996035.5 2024-12-31 CN119730275A 2025-03-28 代书雨、王玉林、张敏、王毅
39 一种横向平面栅IGBT及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411996030.2 2024-12-31 CN119730274A 2025-03-28 代书雨、王玉林、张敏、王毅
40 一种横向RC-IGBT及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411996027.0 2024-12-31 CN119730273A 2025-03-28 代书雨、王玉林、张敏、王毅
41 一种自带续流二极管的平面栅IGBT及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411996043.X 2024-12-31 CN119730277A 2025-03-28 代书雨、王玉林、张敏、王毅
42 一种自带续流能力的IGBT及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411996042.5 2024-12-31 CN119730276A 2025-03-28 代书雨、王玉林、张敏、王毅
43 自动防卡料管装上料装置 实用新型 授权 CN202423295438.5 2024-12-31 CN223547013U 2025-11-14 李伟贞、殷宪虎、王毅
44 整流桥周转管打塞装置 实用新型 授权 CN202423295423.9 2024-12-31 CN223574783U 2025-11-21 张杰、徐俊、殷宪虎、王毅
45 整流桥平整度检测装置 实用新型 授权 CN202423266959.8 2024-12-30 CN223551060U 2025-11-14 雍鑫、徐俊、王毅
46 框架镜像检测平台 实用新型 授权 CN202423266953.0 2024-12-30 CN223711466U 2025-12-23 沈青青、徐俊、王毅
47 一种增强栅氧可靠性的SiCMOSFET器件及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411950010.1 2024-12-27 CN119743969A 2025-04-01 王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅
48 一种减小漏电的SiCSBD二极管及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411955197.4 2024-12-27 CN119789443A 2025-04-08 王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅
49 具有P型掩蔽层的多晶硅沟槽SiC二极管 实用新型 授权 CN202423253084.8 2024-12-27 CN223652616U 2025-12-09 王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅
50 具有L型栅氧结构的SiC MOSFET器件 实用新型 授权 CN202423247744.1 2024-12-27 CN223652617U 2025-12-09 王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅

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