鹏芯微申请半导体结构的制造方法专利，能够至少覆盖叠层中部分第二半导体层的侧壁的至少部分_电池技术

鹏芯微申请半导体结构的制造方法专利，能够至少覆盖叠层中部分第二半导体层的侧壁的至少部分

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2026-03-28 01:44:34

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国家知识产权局信息显示，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司申请一项名为“半导体结构的制造方法”的专利，公开号CN121751737A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本公开提出了一种半导体结构的制造方法，涉及半导体技术领域，该方法包括：提供衬底结构，衬底结构包括位于衬底上相邻的两个鳍片部，每个所述鳍片部包括由第一半导体层与第二半导体层交替堆叠的叠层，第一半导体层的两端具有间隔层，两个鳍片部之间具有开口；在开口中形成覆盖层，覆盖层包括覆盖开口的底部的第一部分和覆盖开口的侧壁的第二部分；执行去除工艺，以去除第一部分，并去除第二部分的一部分，其中，第二部分的剩余部分至少覆盖叠层中部分所述第二半导体层的侧壁的至少部分；在去除工艺后，执行外延工艺，以在开口的底部外延生长第一半导体材料；以及在外延工艺后，去除第二部分的剩余部分并在开口中外延生长第二半导体材料。

天眼查资料显示，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本712800万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司参与招投标项目19次，财产线索方面有商标信息72条，专利信息116条，此外企业还拥有行政许可215个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

制造方法投资深圳市外延导体包括结构专利部分半导体鳍片部体层衬底

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