英飞凌申请具有场板结构的半导体器件专利，实现高电阻和/或半绝缘连接
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2026-03-30 14:29:23
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国家知识产权局信息显示，英飞凌科技奥地利有限公司申请一项名为“具有场板结构的半导体器件”的专利，公开号CN121751717A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，公开了具有场板结构的半导体器件，其包括基板（100）、绝缘体层（120）和场板结构（200）。基板（100）具有第一导电类型的背景掺杂和与第一导电类型互补的第二导电类型的第一掺杂区（170）。绝缘体层（120）形成在基板（100）的主表面（101）上。场板结构（200）在第一掺杂区（170）与边缘结构（190）之间形成在绝缘体层（120）上，其中，场板结构（200）具有到至少一个非浮动导电结构（140）的高电阻和/或半绝缘连接（259）。
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来源：市场资讯
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