新存科技申请存储元件及存储器专利，降低了Set态的阈值电压
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2026-04-03 19:47:59
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国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司申请一项名为“一种存储元件及存储器”的专利，公开号CN121793364A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请公开了一种存储元件及存储器，其中存储元件包括：沿第一方向层叠的第一电极层和第二电极层；位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的存储层，所述存储层具有双向阈值开关特性，所述存储层的材料包括带负电荷的第一离子和带正电荷的第二离子；其中，所述存储层包括沿所述第一方向依次层叠设置的第一存储层、第二存储层和第三存储层，且所述第一离子在所述第一存储层中的浓度大于在所述第二存储层中的浓度，所述第二离子在所述第三存储层中的浓度大于在所述第二存储层中的浓度。本申请降低了Set态的阈值电压，提高了SOM器件的读窗口。
天眼查资料显示，新存科技（武汉）有限责任公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1785.754万人民币。通过天眼查大数据分析，新存科技（武汉）有限责任公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目5次，专利信息213条。
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来源：市场资讯
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