中芯国际申请LDMOS及其形成方法专利，能够有效增加有效沟道宽度以降低开启电阻_电池技术

中芯国际申请LDMOS及其形成方法专利，能够有效增加有效沟道宽度以降低开启电阻

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2026-05-08 22:28:50

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国家知识产权局信息显示，中芯北方集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“LDMOS及其形成方法”的专利，公开号CN122002857A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，一种LDMOS及其形成方法，所述形成方法包括：衬底；体区，所述体区位于所述衬底内；栅极结构，部分所述栅极结构位于所述体区正上方；第一掺杂区，所述第一掺杂区位于所述栅极结构一侧的体区内，所述第一掺杂区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型不同；外接掺杂区，所述外接掺杂区位于所述第一掺杂区远离所述栅极结构一侧的体区内，所述外接掺杂区沿所述栅极结构延伸方向延伸，所述外接掺杂区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相同。所述外接掺杂区沿所述栅极结构延伸方向延伸的设置方式，能够有效减少掺杂离子互溶现象的发生，还能够有效增加有效沟道宽度以降低开启电阻。

天眼查资料显示，中芯北方集成电路制造（北京）有限公司，成立于2013年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本480000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯北方集成电路制造（北京）有限公司参与招投标项目59次，专利信息153条，此外企业还拥有行政许可449个。

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目119次，财产线索方面有商标信息221条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可480个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业制造方法栅极宽度投资中芯国际电阻集成电路专利掺杂区中芯体区

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