华虹半导体申请优化渐变浓度超结产品击穿电压窗口方法专利，显著提高边缘区域的击穿电压_电池技术

华虹半导体申请优化渐变浓度超结产品击穿电压窗口方法专利，显著提高边缘区域的击穿电压

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2026-05-16 02:21:52

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国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“优化渐变浓度超结产品击穿电压窗口的方法”的专利，公开号CN122054657A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本发明提供一种优化渐变浓度超结产品击穿电压窗口的方法。该方法在保持掺杂气体流量恒定的外延层生长过程中，引入调节气体并对其流量进行动态调整。流量控制采用随工艺时间推移呈递减趋势变化的策略，优选为线性递减，且保持流量平均值与基准工艺一致。该方法利用刻蚀气体对晶圆边缘区域的针对性调节作用，减少边缘高浓度外延层的填充量并增加低浓度层的填充量，从而在不改变外延填充总厚度和中心区域均匀性的前提下，有效修正边缘浓度分布，消除边缘低压凹陷，显著提高边缘区域的击穿电压，拓宽超结产品的击穿电压工艺窗口。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2944次，专利信息2016条，此外企业还拥有行政许可117个。

华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目373次，专利信息200条，此外企业还拥有行政许可230个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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