国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“存储器、存储器的形成方法、存储器的写入方法、存储器的读取方法以及存储器的擦除方法”的专利，公开号CN122438336A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，一种存储器、存储器的形成方法、存储器的写入方法、存储器的读取方法以及存储器的擦除方法，其中存储器包括：基底；浮栅，浮栅位于基底上；源极和漏极，分别位于浮栅两侧的基底内；存储层，存储层位于浮栅和漏极之间的基底上；控制栅，控制栅位于浮栅和存储层上。存储层位于浮栅和漏极之间的基底上，存储器中具有浮栅和存储层2个存储单元，存储器的结构提升了存储器的存储密度；此外，基底包括衬底，绝缘氧化层以及半导体层。对存储层进行读取时，对衬底施加正电压，以衬底作为背栅，背栅和控制栅之间具有电容耦合作用，电容耦合作用增大了存储层的存储窗口，所述存储器的结构可以区分不同存储单元之间的电流水平，提高存储器的数据存储能力。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目49次，专利信息8208条，此外企业还拥有行政许可231个。

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目120次，财产线索方面有商标信息234条，专利信息15065条，此外企业还拥有行政许可486个。

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来源：市场资讯