华大九天申请高压MOSFET CGG电容模型优化方法专利，以拟合积累区的栅体电容
创始人
2026-08-17 13:20:29
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国家知识产权局信息显示，天津华大九天科技有限公司申请一项名为“一种高压MOSFET CGG电容模型的优化方法”的专利，公开号CN122572339A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，一种高压MOSFET CGG电容模型的优化方法，包括以下步骤：基于基础MOSFET模型的电容电压参数确定第一组模型参数，以拟合栅电容中除栅体电容以外的电容分量；构建子电路模块，所述子电路模块连接在所述基础MOSFET模型的栅极端口与体极端口之间；所述子电路模块包含一个与栅‑体电压和器件尺寸相关的非线性栅体电容模型；根据器件的电容电压测试数据，提取所述非线性栅体电容模型的第二组模型参数，所述第二组模型参数用于控制所述非线性栅体电容模型的电容特性，以拟合积累区的栅体电容；将所述基础MOSFET模型与所述子电路模块结合，得到优化后的高压MOSFET模型。
天眼查资料显示，天津华大九天科技有限公司，成立于2024年，位于天津市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，天津华大九天科技有限公司参与招投标项目11次，专利信息7条，此外企业还拥有行政许可2个。
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来源：市场资讯
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