兆驰半导体申请发光二极管外延片及其制备方法专利，能够提升光提取效率
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2026-08-29 17:19:49
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国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“发光二极管外延片及其制备方法、LED”的专利，公开号CN122662363A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明涉及LED技术领域，具体公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上设有图形化结构，所述图形化结构上依次设有折射率渐变层、N型半导体层、多量子阱发光层、P型半导体层，所述折射率渐变层包括InGaN层、AlInGaN层和AlGaN层，且所述InGaN层的折射率＞所述AlInGaN层的折射率＞所述AlGaN层的折射率。本发明提供的发光二极管外延片能够提升光提取效率。
天眼查资料显示，江西兆驰半导体有限公司，成立于2017年，位于南昌市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本160000万人民币。通过天眼查大数据分析，江西兆驰半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息1737条，此外企业还拥有行政许可62个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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