长鑫存储申请读写转换电路以及存储器专利，提供一种读写转换电路及存储器
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2025-06-20 21:08:13
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金融界2025年6月20日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术（上海）有限公司申请一项名为“读写转换电路以及存储器”的专利，公开号CN120179172A，申请日期为2020年06月。
专利摘要显示，本发明实施例提供一种读写转换电路以及存储器，读写转换电路包括本地读写单元，本地读写单元包括：本地写入转换电路，用于响应于本地读写控制信号中的本地写入控制信号，将本地互补数据线的反相数据传输至全局数据线；本地写入转换电路包括：第五NMOS管、第六NMOS管以及第七NMOS管；第五NMOS管漏极与本地互补数据线连接，第五NMOS管栅极与第七NMOS管源极连接，第五NMOS管源极与第六NMOS管漏极连接；第六NMOS管栅极接收本地写入控制信号中的本地写信号，源极接地；第七NMOS管漏极与本地数据线连接，栅极接收本地写信号。
天眼查资料显示，长鑫存储技术（上海）有限公司，成立于2018年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫存储技术（上海）有限公司参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息80条，此外企业还拥有行政许可4个。
来源：金融界
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