电池技术
光谱公司取得色彩精度提高的图像传感器专利
国家知识产权局信息显示，光谱公司取得一项名为“色彩精度提高的图像传感器”的专利，授权公告号CN114335038B，申请日期为2021年10月。 声明：市场有风...
联合微电子中心取得光控多波束形成网络芯片专利
国家知识产权局信息显示，联合微电子中心有限责任公司取得一项名为“光控多波束形成网络芯片及网络”的专利，授权公告号CN114217293B，申请日期为2021年1...
雷曼光电取得锁紧机构及支撑装置专利，有效提高支撑装置整体的安装效率
国家知识产权局信息显示，深圳雷曼光电科技股份有限公司取得一项名为“锁紧机构及支撑装置”的专利，授权公告号CN223755065U，申请日期为2025年3月。 专...
谷歌取得空间自适应量化感知去块滤波器专利
国家知识产权局信息显示，谷歌有限责任公司取得一项名为“空间自适应量化感知去块滤波器”的专利，授权公告号CN115002487B，申请日期为2019年4月。 声明...
晶澳申请绒面结构及钙钛矿太阳能电池制备方法专利，能够提升钙钛矿太阳能电池的光电转换效率
国家知识产权局信息显示，晶澳（扬州）太阳能科技有限公司申请一项名为“一种绒面结构、钙钛矿太阳能电池及制备方法”的专利，公开号CN121262946A，申请日期为...
莱斯能特取得压阻式MEMS绝对压力传感器及其制造方法专利
国家知识产权局信息显示，莱斯能特（苏州）科技有限公司取得一项名为“压阻式MEMS绝对压力传感器及其制造方法”的专利，授权公告号CN116692768B，申请日期...
钧迪智能申请柔性传感器及电芯监测装置专利，提高温度采集点数
国家知识产权局信息显示，钧迪智能装备科技（苏州）有限公司申请一项名为“柔性传感器及电芯监测装置”的专利，公开号CN121253004A，申请日期为2025年11...
江西亿铂电子取得显影盒专利，提升了打印品质
国家知识产权局信息显示，江西亿铂电子科技有限公司取得一项名为“一种显影盒”的专利，授权公告号CN223757035U，申请日期为2025年3月。 专利摘要显示，...
苏州鑫达半导体申请功率半导体模块剩余寿命预测方法专利，攻克变工况下热输运模型失配难题
国家知识产权局信息显示，苏州鑫达半导体科技有限公司申请一项名为“一种功率半导体模块剩余寿命预测方法、设备及介质”的专利，公开号CN121257252A，申请日期...
摩米士取得充电控制电路和充电装置专利，极大的提高了电路的效率
国家知识产权局信息显示，摩米士科技（深圳）有限公司取得一项名为“充电控制电路和充电装置”的专利，授权公告号CN223758028U，申请日期为2025年2月。 ...
小米取得摄像头装饰组件及电子设备专利，提升电子设备的轻薄性
国家知识产权局信息显示，北京小米移动软件有限公司取得一项名为“摄像头装饰组件及电子设备”的专利，授权公告号CN223758317U，申请日期为2024年12月。...
华大半导体申请脉冲宽度调制信号产生电路专利，提升电源稳定性以及系统可靠性
国家知识产权局信息显示，华大半导体有限公司、上海贝岭股份有限公司申请一项名为“脉冲宽度调制信号的产生电路和开关电路”的专利，公开号CN121261674A，申请...
昕诺飞取得具有自动电荷平衡的混合开关电容器电路专利
国家知识产权局信息显示，昕诺飞控股有限公司取得一项名为“具有自动电荷平衡的混合开关电容器电路”的专利，授权公告号CN115191152B，申请日期为2021年2...
科华数能取得电源系统及整机装置散热优化专利
国家知识产权局信息显示，厦门科华数能科技有限公司取得一项名为“一种电源系统及整机装置”的专利，授权公告号CN118921900B，申请日期为2024年6月。 天...
上海浚洁半导体取得一种二极管测试装置专利，提高测试效率
国家知识产权局信息显示，上海浚洁半导体科技有限公司取得一项名为“一种二极管测试装置”的专利，授权公告号CN223756861U，申请日期为2024年12月。 专...
格科微取得CMOS图像传感器封装结构专利
国家知识产权局信息显示，格科微电子（上海）有限公司取得一项名为“CMOS图像传感器封装结构”的专利，授权公告号CN114765188B，申请日期为2021年1月...
星闪悦动申请键帽电子墨水屏控制方法专利，实现低能耗、低峰值电流与残影抑制
国家知识产权局信息显示，深圳市星闪悦动科技有限公司申请一项名为“一种键帽的电子墨水屏控制方法”的专利，公开号CN121237045A，申请日期为2025年9月。...
珠海楠欣半导体申请电压转换电路专利，实现了输出电压在一定范围内大小可调
国家知识产权局信息显示，珠海楠欣半导体科技有限公司申请一项名为“电压转换电路、芯片以及电子设备”的专利，公开号CN121261529A，申请日期为2025年10...
新台佳光电取得高强度高效率盘片激光切割倒棱裂片方法专利
国家知识产权局信息显示，新台佳光电有限公司取得一项名为“一种高强度高效率的盘片激光切割倒棱裂片方法”的专利，授权公告号CN121042716B，申请日期为202...
甬矽半导体申请高密度衬底封装结构及其制备方法专利，减缓对结构芯片传输效率的影响
国家知识产权局信息显示，甬矽半导体（宁波）有限公司申请一项名为“高密度衬底封装结构及其制备方法”的专利，公开号CN121237741A，申请日期为2025年10...