晶合集成申请半导体结构制作方法专利，提高芯片的性能以及良率_电池资讯

晶合集成申请半导体结构制作方法专利，提高芯片的性能以及良率

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2025-12-27 09:37:02

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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制作方法”的专利，公开号CN121215512A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体结构的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法至少包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上形成待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成无定形碳层；对所述无定形碳层进行清洗，再进行热处理和等离子处理；在所述无定形碳层上形成抗反射层；以及在所述抗反射层形成图案化光刻胶层，以所述图案化光刻胶层为掩膜，刻蚀所述抗反射层、所述无定形碳层和所述待刻蚀层。通过本发明提供的一种半导体结构的制作方法，能够去除无定形碳层在形成和处理过程中残留的颗粒和水分等，减少缺陷，提高芯片的性能以及良率。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目633次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1531条，此外企业还拥有行政许可22个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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