长鑫科技申请半导体结构及其形成方法专利，可降低位线间的耦合效应_电池资讯

长鑫科技申请半导体结构及其形成方法专利，可降低位线间的耦合效应

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2026-06-20 14:48:22

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国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法、电子设备”的专利，公开号CN122248730A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其形成方法、电子设备，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括：位于衬底上的多个半导体层对，半导体层对包括沿第二水平方向间隔分布的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层包括沿第二水平方向分布的第一源漏区、第一沟道区和第一漏源区，第二半导体层包括沿第二水平方向分布的第二源漏区、第二沟道区和第二漏源区，第一漏源区和第二漏源区相对设置；多个位线对，每一位线对包括沿第二水平方向间隔分布的第一位线和第二位线，在第一水平方向上，第一位线与多个第一漏源区耦接，第二位线与多个第二漏源区耦接；屏蔽层沿第一水平方向延伸，在竖直方向上，屏蔽层至少位于两个位线对之间。可降低位线间的耦合效应。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了16家企业，参与招投标项目1082次，财产线索方面有商标信息294条，专利信息692条，此外企业还拥有行政许可39个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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