长鑫科技申请半导体结构专利，有效防止凸起或凹陷表面对产品良率的影响_电池资讯

长鑫科技申请半导体结构专利，有效防止凸起或凹陷表面对产品良率的影响

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2025-12-29 12:08:06

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国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构以及半导体集成结构”的专利，公开号CN121215646A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体结构，包括：衬底，衬底上覆盖有介质层，介质层包括第一区域和环绕第一区域的第二区域；设置在第一区域的介质层中的第一导电垫，第一导电垫的顶表面具有凹陷或凸起的部分，介质层覆盖所述第一导电垫的顶表面；设置在第二区域的介质层中的第一键合垫，第一键合垫环绕第一导电垫设置，第一键合垫具有暴露于介质层的顶表面，第一键合垫的底表面高于第一导电垫的顶表面。本公开实施例提供的半导体结构具有环绕第一区域外围的第二区域，其中，第二区域中设置有第一键合垫，第一键合垫可以有效的防止由于第一区域凸起或凹陷的表面对产品良率的影响。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1085次，财产线索方面有商标信息236条，专利信息635条，此外企业还拥有行政许可34个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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