华虹宏力申请深沟槽电容及制备方法专利，多晶硅在深沟槽的下部分形成空气间隙_电池资讯

华虹宏力申请深沟槽电容及制备方法专利，多晶硅在深沟槽的下部分形成空气间隙

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2025-12-29 16:37:02

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国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“深沟槽电容及制备方法”的专利，公开号CN121218612A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供了一种深沟槽电容及制备方法，包括：在衬底内形成深沟槽；在深沟槽的内壁形成第一电介质层；在深沟槽上部分第一电介质层表面形成第二电介质层，以缩小深沟槽的开口，第二电介质层还延伸至衬底上方的第一电介质层的表面；向深沟槽内填充多晶硅，多晶硅封闭深沟槽的开口，多晶硅在深沟槽的下部分形成空气间隙，多晶硅还延伸至衬底上方的第二电介质层的表面；在衬底表面的第二介质层、第一介质层和多晶硅内形成凹槽；在凹槽的侧壁形成侧墙，侧墙覆盖凹槽内的部分衬底表面；在多晶硅的表面形成第一金属硅化物层，在凹槽内的衬底表面形成第二金属硅化物层，第一金属硅化物层和第二金属硅化物层分别形成电容的上极板和下极板。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目929次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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