武汉新芯申请半导体器件及其制造方法专利，能够有效降低沟槽电容器的漏电风险
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2026-01-02 10:37:35
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国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121240470A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：基底，所述基底中形成有沟槽；导电材料层与介电材料层，依次交替地形成在所述沟槽内且延伸至所述沟槽外围的所述基底上以形成沟槽电容器，相邻所述导电材料层之间通过所述介电材料层电性隔离，且所述介电材料层还延伸至所述介电材料层下方的所述导电材料层的侧壁上。本发明的技术方案能够有效降低沟槽电容器的漏电风险。
天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目225次，财产线索方面有商标信息67条，专利信息1800条，此外企业还拥有行政许可106个。
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来源：市场资讯
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