晶合集成申请半导体器件和半导体器件的制造方法专利，能够减小漏电流
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2026-01-13 17:37:04
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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件和半导体器件的制造方法”的专利，公开号CN121310603A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件和半导体器件的制造方法。半导体器件包括：半导体衬底，半导体衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，半导体衬底设置有从第一表面延伸至半导体衬底中的沟道区、源区和漏区，源区和漏区分别设置在沟道区的两侧；源极，源极设置在源区的上方；漏极，漏极设置在漏区的上方；栅极，栅极设置在沟道区的上方，栅极包括第一部分和第二部分，第一部分靠近源极，第二部分靠近漏极，第一部分由第一材料制成，第二部分由第二材料制成，第一材料的功函数大于第二材料的功函数。根据本申请，能够减小漏电流，并降低短沟道效应。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目634次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1561条，此外企业还拥有行政许可22个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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