斯沃奇申请对浮栅存储器结构进行充电或读取的电子电路专利，对浮栅存储器结构进行读取和充电
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2025-07-02 12:37:43
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金融界2025年7月2日消息，国家知识产权局信息显示，斯沃奇集团研究及开发有限公司申请一项名为“被适配成对浮栅存储器结构进行充电或读取的电子电路”的专利，公开号CN120236632A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明的一个方面涉及具有浮栅存储器结构的电子电路，该浮栅存储器结构包括来自第一输入端子(T)的具有大浮栅(FG)的第一MOS型晶体管(1)、以及来自第二输入端子(B)的第二MOS型晶体管(2)，第二MOS型晶体管(2)具有比第一MOS晶体管(1)更小的浮栅(FG)。第一MOS晶体管(1)经由其浮栅(FG)串联连接到第二MOS晶体管(2)的浮栅(FG)。该电子电路被布置以便对浮栅存储器结构进行读取和充电。第一MOS晶体管被转换以直接充当浮栅存储器结构的读取晶体管。
来源：金融界
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